RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測(cè)試儀 
廣泛用于：覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、防輻射導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試
硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻 半導(dǎo)體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率 導(dǎo)電性油漆，導(dǎo)電性糊狀物，導(dǎo)電性塑料，導(dǎo)電性橡膠，導(dǎo)電性薄膜，金屬薄膜，抗靜電材料， EMI 防護(hù)材料，導(dǎo)電性纖維，導(dǎo)電性陶瓷等
按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)，本機(jī)配置232電腦接口及USB兩種接口，本機(jī)結(jié)合采用范德堡測(cè)量原理能改善樣品因幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距和機(jī)械游移等外部因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響及誤差，比市場(chǎng)上其他普通的四探針測(cè)試方法更加完善和進(jìn)步,是方塊電阻值較小的產(chǎn)品測(cè)量，更加準(zhǔn)確.

RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測(cè)試儀 
本儀器本儀器采用四探針單電測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)置。采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸、使用方便；選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數(shù)據(jù)，自動(dòng)生成報(bào)表；本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購.

RK02-FT-331  普通四探針方阻電阻率測(cè)試儀 
參數(shù)資料
1.方塊電阻范圍：10-5～2×106Ω/□
2.電阻率范圍：10-6～2×106Ω-cm
3.測(cè)試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100 mA
4.電流精度：±0.1%讀數(shù)
5.電阻精度：≤0.3%
6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率
7.測(cè)試方式: 普通單電測(cè)量
8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz  功 耗：<30W
9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%（標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果）
10.選購功能: 選購1.pc軟件； 選購2.方形探頭； 選購3.直線形探頭； 選購4.測(cè)試平臺(tái)
11.測(cè)試探頭： 探針間距選購：1mm；2mm；3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針；鍍金磷銅半球形針